目前电动汽车电压平台主流是400-500V,存在里程焦虑及充电速度慢的问题,电动汽车800V 高压系统+超级快充,可以实现充电10 分钟,续航300公里以上,能有效解决解决充电及续航焦虑,有望成为主流趋势。SiC 材料特性使得MOSFET 结构轻松覆盖650V-3300V,导通损耗小;同时,90%的行车工况是在主驱电机额定功率30%以内,处于碳化硅的高效区;另外,SiC 主驱使得电源频率和电机转速增加,相同功率下转矩减小,体积减小;主驱控制器用SiC MOSFET 的800V 平台车型总体节能5%-10%。SiC
MOSFET 是800V 高压系统功率半导体的较佳选择,目前已发布或即将发布的800V 高压系统方案大部分都选择采用SiC MOSFET。对于超级快充,最好的办法是采用800V 的平台,用800V 的超级快充时,要求充电桩电源模块的功率要扩容到40kW/60kW,全SiC 的方案效率则可以提高2%。800V高压系统将带动主驱逆变器、车载OBC、DC-DC、PDU、超充、快充电桩开始大规模应用碳化硅,碳化硅迎来甜蜜时刻。Yole 预测,2026 年整个碳化硅功率器件的市场规模有望达到50亿美元,其中60%以上用于新能源汽车领域。
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